背散射电子（BSE）是由弹性散射产生的。当主电子束中的电子接近样品中的原子核时，受到原子核中正电荷的作用力，它们的运动轨迹发生了偏离。背散射电子的产率取决于原子核的大小。BSE图像对比度反应了样品表面的成分衬度。在这篇博客中，会介绍背散射电子系数，并解释它是如何受到样品倾斜度和入射电子束能量的影响。

背散射系数

背散射电子是由入射电子束中入射电子的弹性散射产生的，其能量大于50eV，在飞纳电镜之前的一篇博客中解释过。背散射电子数量产生取决于许多因素，包括样品中材料的原子序数和电子束的加速度电压。

电子束与样品相互作用产生的背散射电子的数量被称为背散射系数 η，定义为背散射电流（IBSE）和探针电流（IP）的比值：

其中 EB 是背散射电子的排出能量。背散射系数受加速电压、原子序数 Z 以及样品表面与入射电子束的夹角的影响。